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日 미라이, 45나노급 반도체 절연막 장치 개발
 SMT  | 2006·01·05 09:08 | HIT : 6,659 | VOTE : 631 |
도시바, 후지쯔 등 일본의 민간기업 25개사와 경제산업성이 공동으로
설립한 반도체 연구 조직 ‘미라이 프로젝트’가 45㎚(나노미터, 1나노
는 10억분의1) 반도체용 절연막 장치를 개발했다고 니혼게이자이신문이
보도했다.

 미라이는 오는 2010년에나 실용화될 것으로 전망되는 회로 선폭 45㎚
급 반도체용 절연막의 성모장치를 개발, 내년부터 각 반도체업체들에 연
구개발(R&D)용으로 제공할 계획이다.

 이번에 개발한 직경 200㎜ 웨이퍼 대응 성모장치는 히타치국제전기가
직경 300㎜ 대구경 웨이퍼 대응 장치로 개조할 예정이라고 미라이 측은
밝혔다. 미라이의 연구 성과가 반도체 양산설비용 300㎜ 웨이퍼용 장치
로 제공되는 것은 지난 2001년 8월 발족 이래 처음이다.

 개발된 성모장치의 가격은 7억엔 안팎으로 당분간은 일본업체들에게
제한적으로 판매될 예정이다.  
  
이 장치는 절연막 재료에 증착물질인 ‘HfAIO’를 사용한 것이 특징으
로 반도체 각사들이 개별적으로 연구해온 HfSiO보다 성능이 훨씬 좋은
절연막을 성형할 수 있다.

 한편 미라이는 일본 반도체업계의 R&D 비용 부담을 경감시키기 위해
산·관·학 공동 연구조직으로 발족됐다.  

/출처 : 전자신문 ( http://www.etnews.co.kr/ )
     
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